分離式半導(dǎo)體 - MOSFETs - 陣列 - IXYS - GWM160-0055X1-SL - IC FULL BRIDGE 3PH ISOPLUS STRT
PDF查詢| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 ： | 36 |
| 系列 ： | - |
| FET 型 ： | 6 N-溝道（3 相橋） |
| FET 特點(diǎn) ： | 標(biāo)準(zhǔn)型 |
| 漏極至源極電壓(Vdss) ： | 55V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C ： | 150A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 3.3 毫歐 @ 100A, 10V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大） ： | 4.5V @ 1mA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs ： | 105nC @ 10V |
| 在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ： | - |
| 功率 - 最大 ： | - |
| 安裝類型 ： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 ： | 17-SMD, 扁平引線 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝 ： | SMD |
| 包裝 ： | 管件 |
