分離式半導(dǎo)體 - MOSFETs - 陣列 - SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation - FW342-TL-E - MOSFET N/P-CH 30V 6/5A 8-SOP
PDF查詢| 產(chǎn)品目錄繪圖 ： | SOP8 Package - N, N/P & Dual-N Channel Top |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 ： | 1 |
| 系列 ： | - |
| FET 型 ： | N 和 P 溝道 |
| FET 特點(diǎn) ： | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss) ： | 30V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C ： | 6A, 5A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 33 毫歐 @ 6A, 10V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大） ： | - |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs ： | 16nC @ 10V |
| 在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ： | 850pF @ 10V |
| 功率 - 最大 ： | 1.8W |
| 安裝類型 ： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 ： | 8-SOIC (0.173", 4.40mm 寬) |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝 ： | 8-SOP |
| 包裝 ： | 剪切帶 (CT) |
