分離式半導(dǎo)體 - MOSFET - 單 - Fairchild Semiconductor - FQD2N100TM - MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
PDF查詢| 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊 ： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 產(chǎn)品目錄繪圖 ： | DPAK, TO-252(AA) |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 ： | 1 |
| 系列 ： | QFET™ |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點 ： | 標(biāo)準(zhǔn)型 |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 9 歐姆 @ 800mA, 10V |
| 漏極至源極電壓(Vdss) ： | 1000V (1kV) |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C ： | 1.6A |
| Id 時的 Vgs(th)（最大） ： | 5V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs ： | 15.5nC @ 10V |
| 在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ： | 520pF @ 25V |
| 功率 - 最大 ： | 2.5W |
| 安裝類型 ： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 ： | TO-252-3, DPak (2 引線+接片), SC-63 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝 ： | D-Pak |
| 包裝 ： | 剪切帶 (CT) |
