分離式半導(dǎo)體 - MOSFET - 單 - Fairchild Semiconductor - FQB3N60CTM - MOSFET N-CH 600V 3A D2PAK
PDF查詢| 產(chǎn)品變化通告 ： | Passivation Material Change 14/May/2008 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 ： | 800 |
| 系列 ： | QFET™ |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn) ： | 標(biāo)準(zhǔn)型 |
| 漏極至源極電壓(Vdss) ： | 600V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C ： | 3A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 3.4 歐姆 @ 1.5A, 10V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大） ： | 4V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs ： | 14nC @ 10V |
| 在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ： | 565pF @ 25V |
| 功率 - 最大 ： | 75W |
| 安裝類型 ： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 ： | TO-263-3, D²Pak (2 引線+接片), TO-263AB |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝 ： | D²PAK |
| 包裝 ： | 帶卷 (TR) |
