分離式半導(dǎo)體 - MOSFET - 單 - Fairchild Semiconductor - FQA10N80C_F109 - MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P
PDF查詢| 產(chǎn)品變化通告 ： | Design/Process Change Notification 26/June/2007 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 ： | 30 |
| 系列 ： | QFET™ |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn) ： | 標(biāo)準(zhǔn)型 |
| 漏極至源極電壓(Vdss) ： | 800V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C ： | 10A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 1.1 歐姆 @ 5A, 10V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大） ： | 5V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs ： | 58nC @ 10V |
| 在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ： | 2800pF @ 25V |
| 功率 - 最大 ： | 240W |
| 安裝類型 ： | 通孔 |
| 封裝/外殼 ： | TO-3P-3, SC-65-3 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝 ： | TO-3PN |
| 包裝 ： | 管件 |
