標(biāo)準(zhǔn)包裝 : | 1 |
系列 : | - |
FET 型 : | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 特點(diǎn) : | 標(biāo)準(zhǔn)型 |
漏極至源極電壓(Vdss) : | 33V |
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C : | 10A |
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 10 mOhm @ 5A, 10V |
Id 時的 Vgs(th)(最大) : | 2.5V @ 1.12mA |
閘電荷(Qg) @ Vgs : | 7.2nC @ 4.5V |
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) : | 750pF @ 10V |
功率 - 最大 : | 1W |
安裝類型 : | 表面貼裝 |
封裝/外殼 : | 8-SMD,扁平引線 |
供應(yīng)商設(shè)備封裝 : | W迷你型8-F1 |
包裝 : | 剪切帶 (CT) |