標(biāo)準(zhǔn)包裝 : | 1 |
系列 : | - |
FET 型 : | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 特點(diǎn) : | 標(biāo)準(zhǔn)型 |
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 17.5 毫歐 @ 2A, 4.5V |
漏極至源極電壓(Vdss) : | 20V |
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C : | 4.5A |
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大) : | 1.3V @ 1mA |
閘電荷(Qg) @ Vgs : | - |
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) : | 1730pF @ 10V |
功率 - 最大 : | 700mW |
安裝類型 : | 表面貼裝 |
封裝/外殼 : | WSMini6-F1-B |
供應(yīng)商設(shè)備封裝 : | WS迷你型6-F1-B |
包裝 : | 剪切帶 (CT) |