分離式半導(dǎo)體 - MOSFET - 單 - Fairchild Semiconductor - FDZ209N - MOSFET N-CH 60V 4A 12-BGA
PDF查詢| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 ： | 1 |
| 系列 ： | PowerTrench® |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點 ： | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss) ： | 60V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C ： | 4A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 80 毫歐 @ 4A, 5V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大） ： | 3V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs ： | 9nC @ 5V |
| 在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ： | 657pF @ 30V |
| 功率 - 最大 ： | 2W |
| 安裝類型 ： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 ： | 12-WFBGA |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝 ： | 12-BGA |
| 包裝 ： | 剪切帶 (CT) |
