標(biāo)準(zhǔn)包裝 : | 1 |
系列 : | - |
FET 型 : | MOSFET P 通道,金屬氧化物 |
FET 特點 : | 邏輯電平門 |
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 130 毫歐 @ 3.5A, 4.5V |
漏極至源極電壓(Vdss) : | 20V |
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C : | 3.5A |
Id 時的 Vgs(th)(最大) : | 1V @ 250µA |
閘電荷(Qg) @ Vgs : | 8.5nC @ 4.5V |
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) : | 405pF @ 10V |
功率 - 最大 : | 1W |
安裝類型 : | 表面貼裝 |
封裝/外殼 : | 8-SOIC (0.154", 3.90mm 寬) |
供應(yīng)商設(shè)備封裝 : | 8-SO |
包裝 : | 剪切帶 (CT) |