分離式半導(dǎo)體 - MOSFETs - 陣列 - Fairchild Semiconductor - FDS6875 - MOSFET P-CH DUAL 20V 6A 8SOIC
PDF查詢(xún)| 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊 ： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 產(chǎn)品變化通告 ： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 產(chǎn)品目錄繪圖 ： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 ： | 1 |
| 系列 ： | PowerTrench® |
| FET 型 ： | 2 個(gè) P 溝道（雙） |
| FET 特點(diǎn) ： | 邏輯電平門(mén) |
| 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 30 毫歐 @ 6A, 4.5V |
| 漏極至源極電壓(Vdss) ： | 20V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C ： | 6A |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大） ： | 1.5V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs ： | 31nC @ 5V |
| 在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ： | 2250pF @ 10V |
| 功率 - 最大 ： | 900mW |
| 安裝類(lèi)型 ： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 ： | 8-SOIC (0.154", 3.90mm 寬) |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝 ： | 8-SOICN |
| 包裝 ： | 剪切帶 (CT) |
