分離式半導(dǎo)體 - MOSFET - 單 - Fairchild Semiconductor - FDS6681Z - MOSFET P-CH 30V 20A SO-8
PDF查詢| 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊 ： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 產(chǎn)品變化通告 ： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 產(chǎn)品目錄繪圖 ： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 ： | 1 |
| 系列 ： | PowerTrench® |
| FET 型 ： | MOSFET P 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn) ： | 邏輯電平門 |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 4.6 毫歐 @ 20A, 10V |
| 漏極至源極電壓(Vdss) ： | 30V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C ： | 20A |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大） ： | 3V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs ： | 260nC @ 10V |
| 在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ： | 7540pF @ 15V |
| 功率 - 最大 ： | 1W |
| 安裝類型 ： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 ： | 8-SOIC (0.154", 3.90mm 寬) |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝 ： | SO-8 |
| 包裝 ： | 剪切帶 (CT) |
