分離式半導(dǎo)體 - MOSFETs - 陣列 - Fairchild Semiconductor - FDS3601 - MOSFET N-CH DUAL 100V 1.3A 8SOIC
PDF查詢| 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊 ： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 ： | 2,500 |
| 系列 ： | PowerTrench® |
| FET 型 ： | 2 個(gè) N 溝道（雙） |
| FET 特點(diǎn) ： | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss) ： | 100V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C ： | 1.3A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 480 毫歐 @ 1.3A, 10V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大） ： | 4V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs ： | 5nC @ 10V |
| 在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ： | 153pF @ 50V |
| 功率 - 最大 ： | 900mW |
| 安裝類型 ： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 ： | 8-SOIC（0.154", 3.90mm 寬） |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝 ： | 8-SOICN |
| 包裝 ： | 帶卷 (TR) |
