分離式半導體 - MOSFET - 單 - Fairchild Semiconductor - FDN357N - MOSFET N-CH 30V 1.9A SSOT3
PDF查詢| 產(chǎn)品培訓模塊 ： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 產(chǎn)品變化通告 ： | Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 產(chǎn)品目錄繪圖 ： | SuperSOT-3, SOT-23 |
| 標準包裝 ： | 3,000 |
| 系列 ： | - |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點 ： | 邏輯電平門 |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 60 毫歐 @ 2.2A, 10V |
| 漏極至源極電壓(Vdss) ： | 30V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C ： | 1.9A |
| Id 時的 Vgs(th)（最大） ： | 2V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs ： | 5.9nC @ 5V |
| 在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ： | 235pF @ 10V |
| 功率 - 最大 ： | 460mW |
| 安裝類型 ： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 ： | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 供應商設備封裝 ： | 3-SSOT |
| 包裝 ： | 帶卷 (TR) |
