標(biāo)準(zhǔn)包裝 : | 1 |
系列 : | PowerTrench® |
FET 型 : | MOSFET P 通道,金屬氧化物 |
FET 特點(diǎn) : | 邏輯電平門(mén) |
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 8 毫歐 @ 12A, 4.5V |
漏極至源極電壓(Vdss) : | 20V |
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C : | 12A |
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大) : | 1V @ 250µA |
閘電荷(Qg) @ Vgs : | 116nC @ 4.5V |
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) : | 7860pF @ 10V |
功率 - 最大 : | 2.3W |
安裝類(lèi)型 : | 表面貼裝 |
封裝/外殼 : | 8-MLP, MicroFET™ |
供應(yīng)商設(shè)備封裝 : | MLP (3.3x3.3) |
包裝 : | 剪切帶 (CT) |