分離式半導(dǎo)體 - MOSFET - 單 - Fairchild Semiconductor - FDMB668P - MOSFET P-CH 20V 6.1A MICROFET8
PDF查詢| 產(chǎn)品目錄繪圖 ： | MicroFET 3.0 x 1.9 Pkg |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 ： | 1 |
| 系列 ： | PowerTrench® |
| FET 型 ： | MOSFET P 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點 ： | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss) ： | 20V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C ： | 6.1A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 35 毫歐 @ 6.1A, 4.5V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大） ： | 1V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs ： | 59nC @ 10V |
| 在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ： | 2085pF @ 10V |
| 功率 - 最大 ： | 800mW |
| 安裝類型 ： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 ： | 8-MLP, MicroFET™ |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝 ： | 8-MLP, MicroFET (3x1.9) |
| 包裝 ： | 剪切帶 (CT) |
