分離式半導(dǎo)體 - MOSFETs - 陣列 - Fairchild Semiconductor - FDMB3800N - MOSFET N-CH DUAL 30V MICROFET
PDF查詢| 產(chǎn)品目錄繪圖 ： | MicroFET 3.0 x 1.9 Pkg |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 ： | 1 |
| 系列 ： | PowerTrench® |
| FET 型 ： | 2 個(gè) N 溝道（雙） |
| FET 特點(diǎn) ： | 邏輯電平門 |
| 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 40 毫歐 @ 4.8A, 10V |
| 漏極至源極電壓(Vdss) ： | 30V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C ： | 4.8A |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大） ： | 3V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs ： | 5.6nC @ 5V |
| 在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ： | 465pF @ 15V |
| 功率 - 最大 ： | 750mW |
| 安裝類型 ： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 ： | 8-MLP, MicroFET™ |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝 ： | 8-MLP, MicroFET (3x1.9) |
| 包裝 ： | 剪切帶 (CT) |
