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分離式半導(dǎo)體 - MOSFETs - 陣列 - Fairchild Semiconductor - FDG6306P - MOSFET P-CH 20V 0.6A SC70-6
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FDG6306P|Fairchild Semiconductor
聲明:圖片僅供參考,請以實物為準(zhǔn)!
FDG6306P
制造商型號: FDG6306P
制造商: Fairchild Semiconductor
描述: MOSFET P-CH 20V 0.6A SC70-6
技術(shù)參考: Rohs PDF查詢
庫存狀態(tài): 實時庫存查詢  所在地:深圳全新原裝現(xiàn)貨
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詳細(xì)參數(shù)
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊 : High Voltage Switches for Power Processing
產(chǎn)品變化通告 : Mold Compound Change 12/Dec/2007
產(chǎn)品目錄繪圖 : MOSFET SC70-6 Pkg
標(biāo)準(zhǔn)包裝 : 1
系列 : PowerTrench®
FET 型 : 2 個 P 溝道(雙)
FET 特點 : 邏輯電平門
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 420 毫歐 @ 600mA, 4.5V
漏極至源極電壓(Vdss) : 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C : 600mA
Id 時的 Vgs(th)(最大) : 1.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs : 2nC @ 4.5V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) : 114pF @ 10V
功率 - 最大 : 300mW
安裝類型 : 表面貼裝
封裝/外殼 : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應(yīng)商設(shè)備封裝 : SC-70-6
包裝 : 剪切帶 (CT)

旗下站點www.szcwdz.com相關(guān)詳細(xì)信息: FDG6306P
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