分離式半導體 - MOSFET - 單 - Fairchild Semiconductor - FDG361N - MOSFET N-CH 100V 0.6A SC70-6
PDF查詢| 產(chǎn)品變化通告 ： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 Mold Compound Change 07/May/2008 |
| 標準包裝 ： | 3,000 |
| 系列 ： | PowerTrench® |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點 ： | 標準型 |
| 漏極至源極電壓(Vdss) ： | 100V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C ： | 600mA |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 500 毫歐 @ 600mA, 10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大） ： | 4V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs ： | 5nC @ 10V |
| 在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ： | 153pF @ 50V |
| 功率 - 最大 ： | 380mW |
| 安裝類型 ： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 ： | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 供應商設(shè)備封裝 ： | SC-70-6 |
| 包裝 ： | 帶卷 (TR) |
