分離式半導(dǎo)體 - MOSFETs - 陣列 - Fairchild Semiconductor - FDD3510H - IC MOSFET DUAL N/P 80V DPAK-4
PDF查詢| 產(chǎn)品目錄繪圖 ： | MOSFET DPAK-4 Pkg |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 ： | 1 |
| 系列 ： | PowerTrench® |
| FET 型 ： | N 和 P 溝道 |
| FET 特點(diǎn) ： | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss) ： | 80V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C ： | 4.3A, 2.8A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 80 毫歐 @ 4.3A, 10V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大） ： | 4V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs ： | 18nC @ 10V |
| 在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ： | 800pF @ 40V |
| 功率 - 最大 ： | 1.3W |
| 安裝類型 ： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 ： | TO-252-5, DPak (4 引線 + 接片）, TO-252AD |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝 ： | TO-252-4L |
| 包裝 ： | 剪切帶 (CT) |
