分離式半導體 - MOSFETs - 陣列 - Fairchild Semiconductor - FDC6401N - MOSFET N-CH DUAL 20V SSOT-6
PDF查詢| 產(chǎn)品培訓模塊 ： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 產(chǎn)品變化通告 ： | Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 產(chǎn)品目錄繪圖 ： | MOSFET SuperSOT-6 |
| 標準包裝 ： | 1 |
| 系列 ： | PowerTrench® |
| FET 型 ： | 2 個 N 溝道（雙） |
| FET 特點 ： | 邏輯電平門 |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 70 毫歐 @ 3A, 4.5V |
| 漏極至源極電壓(Vdss) ： | 20V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C ： | 3A |
| Id 時的 Vgs(th)（最大） ： | 1.5V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs ： | 4.6nC @ 4.5V |
| 在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ： | 324pF @ 10V |
| 功率 - 最大 ： | 700mW |
| 安裝類型 ： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 ： | SOT-23-6 細型, TSOT-23-6 |
| 供應商設備封裝 ： | 6-SSOT |
| 包裝 ： | 剪切帶 (CT) |
