產(chǎn)品培訓(xùn)模塊 : | High Voltage Switches for Power Processing |
產(chǎn)品變化通告 : | Design/Process Change 11/May/2007 Mold Compound Change 08/April/2008 |
產(chǎn)品目錄繪圖 : | MOSFET SuperSOT-6 |
標準包裝 : | 1 |
系列 : | PowerTrench® |
FET 型 : | MOSFET P 通道,金屬氧化物 |
FET 特點 : | 邏輯電平門 |
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 48 毫歐 @ 4.5A, 4.5V |
漏極至源極電壓(Vdss) : | 20V |
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C : | 4.5A |
Id 時的 Vgs(th)(最大) : | 1.5V @ 250µA |
閘電荷(Qg) @ Vgs : | 14nC @ 4.5V |
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) : | 1160pF @ 10V |
功率 - 最大 : | 800mW |
安裝類型 : | 表面貼裝 |
封裝/外殼 : | 6-SSOT, SuperSOT™-6 |
供應(yīng)商設(shè)備封裝 : | 6-SSOT |
包裝 : | 剪切帶 (CT) |