分離式半導(dǎo)體 - MOSFET - 單 - Fairchild Semiconductor - FDC5612 - MOSFET N-CH 60V 4.3A SSOT-6
PDF查詢| 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊 ： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 產(chǎn)品變化通告 ： | Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 產(chǎn)品目錄繪圖 ： | MOSFET SuperSOT-6 |
| 標準包裝 ： | 1 |
| 系列 ： | PowerTrench® |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點 ： | 邏輯電平門 |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 55 毫歐 @ 4.3A, 10V |
| 漏極至源極電壓(Vdss) ： | 60V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C ： | 4.3A |
| Id 時的 Vgs(th)（最大） ： | 4V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs ： | 18nC @ 10V |
| 在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ： | 650pF @ 25V |
| 功率 - 最大 ： | 800mW |
| 安裝類型 ： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 ： | SOT-23-6 細型, TSOT-23-6 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝 ： | 6-SSOT |
| 包裝 ： | 剪切帶 (CT) |
