分離式半導(dǎo)體 - MOSFET - 單 - Fairchild Semiconductor - FDC2612_F095 - MOSFET N-CH 200V 1.1A 6-SSOT
PDF查詢| 產(chǎn)品變化通告 ： | Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 ： | 3,000 |
| 系列 ： | PowerTrench® |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn) ： | 標(biāo)準(zhǔn)型 |
| 漏極至源極電壓(Vdss) ： | 200V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C ： | 1.1A |
| 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 725 毫歐 @ 1.1A, 10V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大） ： | 4.5V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs ： | 11nC @ 10V |
| 在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ： | 234pF @ 100V |
| 功率 - 最大 ： | 800mW |
| 安裝類(lèi)型 ： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 ： | SOT-23-6 細(xì)型, TSOT-23-6 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝 ： | 6-SSOT |
| 包裝 ： | 帶卷 (TR) |
