標(biāo)準(zhǔn)包裝 : | 800 |
系列 : | - |
FET 型 : | MOSFET P 通道,金屬氧化物 |
FET 特點(diǎn) : | 邏輯電平門(mén) |
漏極至源極電壓(Vdss) : | 20V |
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C : | 16A |
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 80 毫歐 @ 8A, 4.5V |
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大) : | 1V @ 250µA |
閘電荷(Qg) @ Vgs : | 13nC @ 4.5V |
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) : | 665pF @ 10V |
功率 - 最大 : | 37.5W |
安裝類(lèi)型 : | 表面貼裝 |
封裝/外殼 : | TO-263-3, D²Pak (2 引線+接片), TO-263AB |
供應(yīng)商設(shè)備封裝 : | TO-263AB |
包裝 : | 帶卷 (TR) |