分離式半導體 - MOSFET - 單 - Fairchild Semiconductor - FDB3632 - MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
PDF查詢| 產(chǎn)品培訓模塊 ： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 產(chǎn)品目錄繪圖 ： | D2PAK, TO-263AB Pkg |
| 標準包裝 ： | 1 |
| 系列 ： | PowerTrench® |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點 ： | 標準型 |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 9 毫歐 @ 80A, 10V |
| 漏極至源極電壓(Vdss) ： | 100V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C ： | 80A |
| Id 時的 Vgs(th)（最大） ： | 4V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs ： | 110nC @ 10V |
| 在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ： | 6000pF @ 25V |
| 功率 - 最大 ： | 310W |
| 安裝類型 ： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 ： | TO-263-3, D²Pak (2 引線+接片), TO-263AB |
| 供應商設備封裝 ： | D²PAK |
| 包裝 ： | 剪切帶 (CT) |
