標(biāo)準(zhǔn)包裝 : | 30 |
系列 : | UniFET™ |
FET 型 : | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 特點(diǎn) : | 標(biāo)準(zhǔn)型 |
漏極至源極電壓(Vdss) : | 150V |
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C : | 79A |
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 30 毫歐 @ 39.5A, 10V |
Id 時的 Vgs(th)(最大) : | 5V @ 250µA |
閘電荷(Qg) @ Vgs : | 73nC @ 10V |
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) : | 3410pF @ 25V |
功率 - 最大 : | 417W |
安裝類型 : | 通孔 |
封裝/外殼 : | TO-3P-3, SC-65-3 |
供應(yīng)商設(shè)備封裝 : | TO-3PN |
包裝 : | 管件 |