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分離式半導(dǎo)體 - MOSFET - 單 - Fairchild Semiconductor - FCA20N60S_F109 - MOSFET N-CH 650V TO-3PN
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FCA20N60S_F109|Fairchild Semiconductor
聲明：圖片僅供參考，請以實物為準！
FCA20N60S_F109
制造商型號： FCA20N60S_F109
制造商： Fairchild Semiconductor
描述： MOSFET N-CH 650V TO-3PN
技術(shù)參考： Rohs PDF查詢
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詳細參數(shù)
標(biāo)準包裝 ： 30
系列 ： SuperFET™
FET 型 ： MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點 ： 標(biāo)準型
漏極至源極電壓(Vdss) ： 600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C ： 20A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： 260 毫歐 @ 10A, 10V
Id 時的 Vgs(th)（最大） ： 5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs ： 72nC @ 10V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ： 2250pF @ 25V
功率 - 最大 ： 260W
安裝類型 ： 通孔
封裝/外殼 ： TO-3P-3, SC-65-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝 ： TO-3PN
包裝 ： 管件

旗下站點www.szcwdz.com相關(guān)詳細信息: FCA20N60S_F109
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