標(biāo)準(zhǔn)包裝 : | 10 |
系列 : | HEXFET® |
FET 型 : | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 特點(diǎn) : | 標(biāo)準(zhǔn)型 |
漏極至源極電壓(Vdss) : | 100V |
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C : | 180A |
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 6.5 毫歐 @ 108A, 10V |
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大) : | 4V @ 250µA |
閘電荷(Qg) @ Vgs : | 380nC @ 10V |
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) : | 10700pF @ 25V |
功率 - 最大 : | 480W |
安裝類(lèi)型 : | 底座安裝 |
封裝/外殼 : | SOT-227-4,miniBLOC |
供應(yīng)商設(shè)備封裝 : | SOT-227B |
包裝 : | 管件 |