分離式半導體 - MOSFET - 單 - EPC - EPC1012 - TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE
PDF查詢| 應用說明 ： | Second Generation eGaN® FETs Thermal Performance of eGaN® FETs Assembling eGaN® FETS Using eGaN® FETs |
| 產(chǎn)品培訓模塊 ： | eGaN™ Basics eGaN™ Power Transistors Characteristics Drivng eGaN™ Power Transistors eGaN FETs for DC-DC Conversion eGaN FET Reliability |
| 標準包裝 ： | 1 |
| 系列 ： | eGaN™ |
| FET 型 ： | GaNFET N 通道，氮化鎵 |
| FET 特點 ： | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss) ： | 200V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C ： | 3A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 100 毫歐 @ 5A, 5V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大） ： | 2.5V @ 1mA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs ： | 1.9nC @ 5V |
| 在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ： | 110pF @ 100V |
| 功率 - 最大 ： | - |
| 安裝類型 ： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 ： | 4-LGA |
| 供應商設備封裝 ： | 4-LGA (1.7x0.9) |
| 包裝 ： | 剪切帶 (CT) |
