分離式半導(dǎo)體 - MOSFET - 單 - EPC - EPC1011 - TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
| 應(yīng)用說明 ： | Thermal Performance of eGaN® FETs Assembling eGaN® FETS Using eGaN® FETs |
| 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊 ： | eGaN™ Basics eGaN™ Power Transistors Characteristics Drivng eGaN™ Power Transistors eGaN FETs for DC-DC Conversion |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 ： | 1 |
| 系列 ： | eGaN™ |
| FET 型 ： | GaNFET N 通道，氮化鎵 |
| FET 特點(diǎn) ： | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss) ： | 150V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C ： | 12A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 25 毫歐 @ 12A, 5V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大） ： | 2.5V @ 3mA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs ： | 6.7nC @ 5V |
| 在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ： | 440pF @ 75V |
| 功率 - 最大 ： | - |
| 安裝類型 ： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 ： | 7-LGA |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝 ： | 7-LGA (3.6x1.6) |
| 包裝 ： | 剪切帶 (CT) |
