分離式半導(dǎo)體 - 陣列 - Rohm Semiconductor - EMZ8T2R - TRANS PNP DUAL BIP+BIP EMT6
PDF查詢| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 ： | 8,000 |
| 系列 ： | - |
| 晶體管類型 ： | NPN, PNP |
| 電流 - 集電極 (Ic)（最大） ： | 150mA, 500mA |
| 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大） ： | 50V, 12V |
| Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大） ： | 400mV @ 5mA, 50mA / 250mV @ 10mA, 200mA |
| 電流 - 集電極截止（最大） ： | - |
| 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE) ： | 120 @ 1mA, 6V / 270 @ 10mA, 2V |
| 功率 - 最大 ： | 150mW |
| 頻率 - 轉(zhuǎn)換 ： | 180MHz, 260MHz |
| 安裝類型 ： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 ： | SOT-563, SOT-666 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝 ： | EMT6 |
| 包裝 ： | 帶卷 (TR) |
