分離式半導體 - MOSFET - 單 - SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation - ECH8305-TL-E - MOSFET P-CH 60V 4A ECH8
PDF查詢| 產(chǎn)品目錄繪圖 ： | ECH8 Package - P, N, N/P, Dual-N & Dual-P Channel Top |
| 標準包裝 ： | 1 |
| 系列 ： | - |
| FET 型 ： | MOSFET P 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點 ： | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss) ： | 60V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C ： | 4A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 85 毫歐 @ 2A, 10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大） ： | - |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs ： | 34nC @ 10V |
| 在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ： | 1680pF @ 20V |
| 功率 - 最大 ： | 1.6W |
| 安裝類型 ： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 ： | 8-SMD，扁平引線 |
| 供應商設備封裝 ： | 8-ECH |
| 包裝 ： | 剪切帶 (CT) |
