分離式半導(dǎo)體 - MOSFETs - 陣列 - Diodes Inc - DMN5L06DW-7 - MOSFET N-CHAN DUAL 200MW SOT-363
PDF查詢| 產(chǎn)品變化通告 ： | End Of Life/Mfg Name Change 14/May/2009 |
| 其它圖紙 ： | SOT-363 Package Top SOT-363 Package Side 1 SOT-363 Package Side 2 |
| 標準包裝 ： | 1 |
| 系列 ： | - |
| FET 型 ： | 2 個 N 溝道（雙） |
| FET 特點 ： | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss) ： | 50V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C ： | 280mA |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 3 歐姆 @ 200mA, 2.7V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大） ： | 1.2V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs ： | - |
| 在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ： | 50pF @ 25V |
| 功率 - 最大 ： | 200mW |
| 安裝類型 ： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 ： | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝 ： | SOT-363 |
| 包裝 ： | 剪切帶 (CT) |
