分離式半導(dǎo)體 - MOSFET - 單 - Diodes Inc - DMN3110S-7 - MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT-23
PDF查詢| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 ： | 1 |
| 系列 ： | - |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn) ： | 標(biāo)準(zhǔn)型 |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 73 毫歐 @ 3.1mA, 10V |
| 漏極至源極電壓(Vdss) ： | 30V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C ： | 2.5A |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大） ： | 3V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs ： | 1.2nC @ 10V |
| 在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ： | 305.8pF @ 15V |
| 功率 - 最大 ： | 740mW |
| 安裝類型 ： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 ： | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝 ： | SOT-23 |
| 包裝 ： | 剪切帶 (CT) |
