分離式半導(dǎo)體 - MOSFETs - 陣列 - Diodes Inc - DMG6602SVT-7 - MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6
PDF查詢| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 ： | 1 |
| 系列 ： | - |
| FET 型 ： | N 和 P 溝道 |
| FET 特點 ： | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss) ： | 30V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C ： | 3.4A, 2.8A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 60 毫歐 @ 3.1A, 10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大） ： | 3V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs ： | 13nC @ 10V |
| 在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ： | 400pF @ 15V |
| 功率 - 最大 ： | 1.12W |
| 安裝類型 ： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 ： | SOT-23-6 細(xì)型, TSOT-23-6 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝 ： | TSOT-23-6 |
| 包裝 ： | 剪切帶 (CT) |
