標(biāo)準(zhǔn)包裝 : | 1 |
系列 : | - |
FET 型 : | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 特點(diǎn) : | 邏輯電平門 |
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 17 毫歐 @ 9A, 10V |
漏極至源極電壓(Vdss) : | 30V |
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C : | 7.44A |
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大) : | 1.5V @ 250µA |
閘電荷(Qg) @ Vgs : | 9.47nC @ 5V |
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) : | 798pF @ 10V |
功率 - 最大 : | 940mW |
安裝類型 : | 表面貼裝 |
封裝/外殼 : | 8-UDFN 裸露焊盤 |
供應(yīng)商設(shè)備封裝 : | 8-DFN3030 (3x3) |
包裝 : | 剪切帶 (CT) |