分離式半導(dǎo)體 - MOSFET - 單 - SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation - CPH6429-TL-E - MOSFET N-CH 60V 2A CPH6
PDF查詢| 產(chǎn)品目錄繪圖 ： | CPH6 Package P, N, N/P, Dual N Channel Top |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 ： | 1 |
| 系列 ： | - |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn) ： | 邏輯電平門(mén) |
| 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 220 毫歐 @ 1A, 4V |
| 漏極至源極電壓(Vdss) ： | 60V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C ： | 2A |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大） ： | - |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs ： | 4.2nC @ 4V |
| 在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ： | 325pF @ 20V |
| 功率 - 最大 ： | 1.6W |
| 安裝類型 ： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 ： | 6-CPH |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝 ： | 6-CPH |
| 包裝 ： | 剪切帶 (CT) |
