分離式半導體 - MOSFET - 單 - SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation - CPH6411-TL-E - MOSFET N-CH 20V 6A CPH6
PDF查詢| 產(chǎn)品目錄繪圖 ： | CPH6 Package P, N, N/P, Dual N Channel Top |
| 標準包裝 ： | 1 |
| 系列 ： | - |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點 ： | 邏輯電平門 |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 20 毫歐 @ 3A, 4.5V |
| 漏極至源極電壓(Vdss) ： | 20V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C ： | 6A |
| Id 時的 Vgs(th)（最大） ： | - |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs ： | 13nC @ 4.5V |
| 在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ： | 1200pF @ 10V |
| 功率 - 最大 ： | 1.6W |
| 安裝類型 ： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 ： | 6-CPH |
| 供應商設備封裝 ： | 6-CPH |
| 包裝 ： | 剪切帶 (CT) |
