分離式半導(dǎo)體 - MOSFET - 單 - Cree Inc - CMF20120D - SIC MOSFET N-CH 1200V TO-247-3
PDF查詢| 應(yīng)用說明 ： | SiC MOSFETs Application Considerations |
| 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊 ： | 1200V SiC Mosfet Overview |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 ： | 30 |
| 系列 ： | Z-FET™ |
| FET 型 ： | SiCFET N 通道，碳化硅 |
| FET 特點(diǎn) ： | 標(biāo)準(zhǔn)型 |
| 漏極至源極電壓(Vdss) ： | 1200V (1.2kV) |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C ： | 33A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 110 毫歐 @ 20A, 20V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大） ： | 4V @ 1mA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs ： | 90.8nC @ 20V |
| 在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ： | 1915pF @ 800V |
| 功率 - 最大 ： | 150W |
| 安裝類型 ： | 通孔 |
| 封裝/外殼 ： | TO-247-3 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝 ： | TO-247-3 |
| 包裝 ： | 管件 |
