分離式半導(dǎo)體 - RF 晶體管 (BJT) - NXP Semiconductors - BFU630F,115 - TRANSISTOR NPN SOT343F-4
PDF查詢| 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊 ： | BFU6xx/7xx, 6th and 7th Generation Wideband Transistors |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 ： | 1 |
| 系列 ： | - |
| 晶體管類型 ： | NPN |
| 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大） ： | 5.5V |
| 頻率 - 轉(zhuǎn)換 ： | 21GHz |
| 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率） ： | 0.75dB ~ 1.3dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz |
| 增益 ： | 13dB ~ 22.5dB |
| 功率 - 最大 ： | 200mW |
| 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE) ： | 90 @ 5mA, 2V |
| 電流 - 集電極 (Ic)（最大） ： | 30mA |
| 安裝類型 ： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 ： | SOT-343F |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝 ： | 4-DFP |
| 包裝 ： | 剪切帶 (CT) |
