分離式半導體 - RF 晶體管 (BJT) - NXP Semiconductors - BFG35,115 - TRANS NPN 10V 150MA SOT223
PDF查詢| 標準包裝 ： | 1 |
| 系列 ： | - |
| 晶體管類型 ： | NPN |
| 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大） ： | 18V |
| 頻率 - 轉(zhuǎn)換 ： | 4GHz |
| 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率） ： | - |
| 增益 ： | - |
| 功率 - 最大 ： | 1W |
| 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE) ： | 25 @ 100mA, 10V |
| 電流 - 集電極 (Ic)（最大） ： | 150mA |
| 安裝類型 ： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 ： | TO-261-4, TO-261AA |
| 供應商設備封裝 ： | SC-73 |
| 包裝 ： | 剪切帶 (CT) |
