分離式半導(dǎo)體 - 單路﹐數(shù)字式 - Infineon Technologies - BCR 183 E6327 - TRANSISTOR PNP DGTL AF SOT-23
PDF查詢| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 ： | 3,000 |
| 系列 ： | - |
| 晶體管類型 ： | PNP - 預(yù)偏壓 |
| 電流 - 集電極 (Ic)（最大） ： | 100mA |
| 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大） ： | 50V |
| 電阻器 - 基極 (R1)（歐） ： | 10K |
| 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐） ： | 10K |
| 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE) ： | 30 @ 5mA, 5V |
| Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大） ： | 300mV @ 500µA, 10mA |
| 電流 - 集電極截止（最大） ： | - |
| 頻率 - 轉(zhuǎn)換 ： | 200MHz |
| 功率 - 最大 ： | 200mW |
| 安裝類型 ： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 ： | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝 ： | PG-SOT23-3 |
| 包裝 ： | 帶卷 (TR) |
