標(biāo)準(zhǔn)包裝 : | 50 |
系列 : | HEXFET® |
FET 型 : | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 特點(diǎn) : | 邏輯電平門 |
漏極至源極電壓(Vdss) : | 40V |
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C : | 160A |
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 3.1 毫歐 @ 75A, 10V |
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大) : | 2.7V @ 250µA |
閘電荷(Qg) @ Vgs : | 110nC @ 5V |
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) : | 5080pF @ 25V |
功率 - 最大 : | 200W |
安裝類型 : | 通孔 |
封裝/外殼 : | TO-262-3,長(zhǎng)引線,I²Pak,TO-262AA |
供應(yīng)商設(shè)備封裝 : | TO-262 |
包裝 : | 管件 |