標(biāo)準(zhǔn)包裝 : | 3,000 |
系列 : | HEXFET® |
FET 型 : | MOSFET P 通道,金屬氧化物 |
FET 特點(diǎn) : | 標(biāo)準(zhǔn)型 |
漏極至源極電壓(Vdss) : | 100V |
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C : | 13A |
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 205 毫歐 @ 7.8A, 10V |
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大) : | 4V @ 250µA |
閘電荷(Qg) @ Vgs : | 58nC @ 10V |
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) : | 760pF @ 25V |
功率 - 最大 : | 66W |
安裝類型 : | 表面貼裝 |
封裝/外殼 : | TO-252-3, DPak (2 引線+接片), SC-63 |
供應(yīng)商設(shè)備封裝 : | D-Pak |
包裝 : | 帶卷 (TR) |