標(biāo)準(zhǔn)包裝 : | 1,000 |
系列 : | HEXFET® |
FET 型 : | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 特點(diǎn) : | 標(biāo)準(zhǔn)型 |
漏極至源極電壓(Vdss) : | 100V |
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C : | 77A |
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 62 毫歐 @ 8.9A, 10V |
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大) : | 5V @ 25µA |
閘電荷(Qg) @ Vgs : | 13nC @ 10V |
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) : | 515pF @ 25V |
功率 - 最大 : | 2.4W |
安裝類型 : | 表面貼裝 |
封裝/外殼 : | DirectFET™ 等距 SB |
供應(yīng)商設(shè)備封裝 : | DIRECTFET SB |
包裝 : | 帶卷 (TR) |