半導(dǎo)體模塊 - FET - Microsemi Power Products Group - APTM120DA56T1G - MOSFET N-CH 1200V 18A SP1
PDF查詢| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 ： | 1 |
| 系列 ： | - |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點 ： | 標(biāo)準(zhǔn)型 |
| 漏極至源極電壓(Vdss) ： | 1200V (1.2kV) |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C ： | 18A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 672 毫歐 @ 14A, 10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大） ： | 5V @ 2.5mA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs ： | 300nC @ 10V |
| 在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ： | 7736pF @ 25V |
| 功率 - 最大 ： | 390W |
| 安裝類型 ： | 底座安裝 |
| 封裝/外殼 ： | SP1 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝 ： | SP1 |
| 包裝 ： | 散裝 |
