標準包裝 : | 1 |
系列 : | - |
FET 型 : | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 特點 : | 標準型 |
漏極至源極電壓(Vdss) : | 1200V (1.2kV) |
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C : | 31A |
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 360 毫歐 @ 25A, 10V |
Id 時的 Vgs(th)(最大) : | 5V @ 2.5mA |
閘電荷(Qg) @ Vgs : | 560nC @ 10V |
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) : | 14560pF @ 25V |
功率 - 最大 : | 657W |
安裝類型 : | 底座安裝 |
封裝/外殼 : | SP1 |
供應(yīng)商設(shè)備封裝 : | SP1 |
包裝 : | 散裝 |