半導(dǎo)體模塊 - FET - Microsemi Power Products Group - APTM10DHM05G - MOSFET MOD ASYMMETRIC BRIDGE SP6
PDF查詢| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 ： | 1 |
| 系列 ： | - |
| FET 型 ： | 2 N 溝道（非對(duì)稱(chēng)橋） |
| FET 特點(diǎn) ： | 標(biāo)準(zhǔn)型 |
| 漏極至源極電壓(Vdss) ： | 100V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C ： | 278A |
| 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 5 毫歐 @ 125A, 10V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大） ： | 4V @ 5mA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs ： | 700nC @ 10V |
| 在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ： | 20000pF @ 25V |
| 功率 - 最大 ： | 780W |
| 安裝類(lèi)型 ： | 底座安裝 |
| 封裝/外殼 ： | SP6 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝 ： | SP6 |
| 包裝 ： | 散裝 |
