半導(dǎo)體模塊 - FET - Microsemi Power Products Group - APTM100U13SG - MOSFET N-CH 1000V 65A J3
PDF查詢(xún)| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 ： | 1 |
| 系列 ： | - |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn) ： | 邏輯電平門(mén) |
| 漏極至源極電壓(Vdss) ： | 1000V (1kV) |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C ： | 65A |
| 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 145 毫歐 @ 32.5A, 10V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大） ： | 4V @ 10mA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs ： | 2000nC @ 10V |
| 在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ： | 31600pF @ 25V |
| 功率 - 最大 ： | 1250W |
| 安裝類(lèi)型 ： | 底座安裝 |
| 封裝/外殼 ： | J3 模塊 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝 ： | 模塊 |
| 包裝 ： | 散裝 |
