半導體模塊 - FET - Microsemi Power Products Group - APTM100A13SG - PWR MODULE MOSFET 1000V 65A SP6
PDF查詢| 標準包裝 ： | 1 |
| 系列 ： | - |
| FET 型 ： | 2 N 溝道（半橋） |
| FET 特點 ： | 標準型 |
| 漏極至源極電壓(Vdss) ： | 1000V (1kV) |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C ： | 65A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 156 毫歐 @ 32.5A, 10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大） ： | 5V @ 6mA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs ： | 562nC @ 10V |
| 在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ： | 15200pF @ 25V |
| 功率 - 最大 ： | 1250W |
| 安裝類型 ： | 底座安裝 |
| 封裝/外殼 ： | SP6 |
| 供應商設備封裝 ： | SP6 |
| 包裝 ： | 散裝 |
